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1、單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級(jí),第三級(jí),第四級(jí),第五級(jí),*,一、晶體與非晶體,晶體與非晶體的差異,非晶體,晶體,自范性,微觀結(jié)構(gòu),物理性質(zhì),熔點(diǎn),有,沒(méi)有,原子在三維空間里呈周期性有序排列,原子排列相對(duì)無(wú)序,強(qiáng)度、導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等各向異性,沒(méi)有各向異性,固定,不固定,物質(zhì),項(xiàng)目,二、晶胞,晶胞：描述晶體結(jié)構(gòu)的,基本單元,。習(xí)慣采用的晶胞都是平行六面體（立方體）,蜂巢與蜂室,銅晶體,銅晶胞,晶體是由晶胞,“無(wú)隙并置”,而成。,所謂“,無(wú)隙,”，是指相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙；,所謂“,并置,”，是指所有晶胞都是平行排列，取向相同。,平行六面體,無(wú)隙并置,三,.正方體,
2、單晶胞中原子個(gè)數(shù)的計(jì)算規(guī)則,晶胞頂角的原子為8個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占1/8；,晶胞棱上的原子為4個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占1/4；,晶胞面上的原子為2個(gè)晶胞共用，每個(gè)晶胞占1/2；,晶胞內(nèi)部的原子為1個(gè)晶胞獨(dú)自占有。,四.四種類型晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的比較,晶體類型,離子晶體,原子晶體,分子晶體,金屬晶體,構(gòu)成微粒,微粒間作用力,陽(yáng)陰離子,原子,分子,金屬陽(yáng)離子和自由電子,離子鍵,共價(jià)鍵,范德瓦,耳斯力,金屬鍵,晶體類型,離子晶體,原子晶體,分子晶體,金屬晶體,是否有分,子存在,熔化時(shí)鍵的變化,無(wú),無(wú),有分子,無(wú),斷開(kāi)離,子鍵,斷開(kāi)共價(jià)鍵,不斷鍵,減弱,硬 度,較大,很大,較小,一般較大，部分小,物質(zhì)種
3、類,離子晶體,分子晶體,金屬晶體,原子晶體,熔、沸點(diǎn),溶解性,導(dǎo)電性,較高,較低,很高,有高有低,易溶于極性溶劑，難溶于有機(jī)溶劑,相似相溶,難 溶,難溶，有些可與水反應(yīng),熔化或溶于水能導(dǎo)電,不易導(dǎo)電,不易導(dǎo)電,良導(dǎo)體,（導(dǎo)電傳熱）,大多數(shù)鹽強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物,金剛石、,Si、SiO,2,、SiC等7種,氣體、多數(shù)非金屬單質(zhì)、酸、多數(shù)有機(jī)物,金屬,1.分子式,是用元素符號(hào)表示物質(zhì)（單質(zhì)、化合物）,分子,的組成及,相對(duì)分子質(zhì)量,的,化學(xué)式,。分子式可示出物質(zhì)的名稱、相對(duì)分子質(zhì)量、一個(gè)分子中所含元素的原子數(shù)目及元素質(zhì)量比等。,可以用分子式的一般都是分子晶體，分子間以范德華力（分子間的作用力）相互結(jié)
4、合形成的晶體。,分子晶體有分子式，離子晶體、原子晶體和金屬晶體沒(méi)有分子式。,2.化學(xué)式,是用元素符號(hào)表示物質(zhì)組成的,式子,?；瘜W(xué)式是實(shí)驗(yàn)式、分子式、結(jié)構(gòu)式的統(tǒng)稱。化學(xué)式包含分子式。,補(bǔ)充：,五.物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低判斷規(guī)律：,不同類型：,同種類型：,原子晶體離子晶體分子晶體,微粒間的作用越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高,金屬晶體（除少數(shù)外）,分子晶體,原子晶體：,離子晶體：,金屬晶體：,原子半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，,熔沸點(diǎn)越高,離子電荷數(shù)越多，離子半徑越小，離子鍵 越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高,金屬陽(yáng)離子電荷數(shù)越多，離子半徑越小，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高,分子晶體：,（1）分子結(jié)構(gòu)相似時(shí)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越
5、高；,（2）分子的極性越大，范德華力越大。熔沸點(diǎn)越高；,（3）若分子間形成氫鍵，熔沸點(diǎn)升高；分子內(nèi),形成氫鍵，熔沸點(diǎn)降低,六.常見(jiàn)的原子晶體,109,28,金剛石的晶體結(jié)構(gòu)示意圖,1.5410,-10,m,SP,3,雜化,金剛石是以碳碳單鍵結(jié)合而成的正四面體的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),金剛石的晶胞,金剛石,思考題：,1、一個(gè)C原子與幾個(gè)C相連？,2、CC鍵間的夾角為,3、最小的C環(huán)上有幾個(gè)C原子？,4、每個(gè)C被幾個(gè)C環(huán)所共有？,4,10928,6,12,180,109,28,Si,O,二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)示意圖,二氧化硅（SiO,2,）,思考題：,1、一個(gè)Si原子與幾個(gè)O相連？,2、化學(xué)鍵間的夾角為,3、最
6、小的環(huán)上有幾個(gè)原子？,4、每個(gè)Si被幾個(gè)環(huán)所共有？,4,10928,12個(gè)（6個(gè)Si和6個(gè)O）,12,1、金屬鍵不具有方向性和飽和性。,2、,金屬鍵的強(qiáng)弱與,金屬離子的半徑及所帶的電荷數(shù),有關(guān)。一般,金屬離子半徑越小、電荷數(shù)越多,金屬鍵就越強(qiáng)。,熔點(diǎn)就相應(yīng)越高，硬度也越大,七.金屬晶體,非密置層（配位數(shù)為4）,密置層（配位數(shù)為6）,1、二維堆積,金屬晶體的原子堆積模型,金屬晶體中的原子可看成直徑相等的球體。,把它們放置在平面上（即二維空間里），有,兩種方式非密置層和密置層,2、三維堆積（有4種方式）,（1）簡(jiǎn)單立方堆積（課本74頁(yè)）,相鄰,非密置層,原子的原子核在同一條直線上，原子的,配位數(shù)為
7、6,，每個(gè)晶胞,含1個(gè)原子，,空間利用率為52%。,代表物質(zhì)：釙（Po）,（鉀型）,（2）,體心立方堆積,非密置層,的另一種堆積方式是將上層金屬原子填入下層的金屬原子形成的凹穴中，并使,非密置層的原子稍稍分離,，每層均照此堆積，原子的,配位數(shù)為8,，每個(gè)晶胞,含2個(gè)原子，,空間利用率為68%。,代表物質(zhì)：堿金屬、Fe,（課本75頁(yè)）,1,2,3,4,5,6,第二層對(duì)第一層來(lái)講最密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn),1，3，5 位。(或?qū)?zhǔn) 2，4，6 位，其情形是一樣的),1,2,3,4,5,6,A,B,，,關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一、二層來(lái)說(shuō)，第三層可以有兩種最緊密的堆積方式。,思考：密置層的堆積方式有哪些？,
8、下圖是六方,最密堆積的前視圖,A,B,A,B,A,一種是將球?qū)?zhǔn)第一層的球。,1,2,3,4,5,6,于是,每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期,，即 AB AB,堆積方式，形成六方最密堆積。,配位,數(shù) 12,。(,同層 6，上下層各 3,),六方最密堆積,六方最密堆積（,鎂型）,金屬晶體的原子空間堆積模型3,第三層的,另一種排列方式，是將球?qū)?zhǔn)第一層的,2，4，6 位,，,不同于 AB 兩層的位置，這是 C 層。,1,2,3,4,5,6,1,2,3,4,5,6,1,2,3,4,5,6,1,2,3,4,5,6,面心立方最密堆積的前視圖,A,B,C,A,A,B,C,第四層再排 A，于是形成 ABC ABC 三層一
9、個(gè)周期。得到面心立方堆積。,配位數(shù) 12,。,(同層 6，上下層各 3),面心立方最密堆積,面心立方（銅型）,金屬晶體的原子空間堆積模型之（4）,金屬晶體的四種堆積模型對(duì)比,堆積模型,典型代表,空間利用率,配位數(shù),晶胞,簡(jiǎn)單立方堆積,體心立方堆積,六方最密堆積,面心立方最密堆積,閱讀課文79資料卡片，并填寫(xiě)下表,2.離子鍵的強(qiáng)弱與離子的電荷、離子的半徑有關(guān)；,電荷越多，半徑越小，離子鍵越強(qiáng),。,3.,氯化鈉每個(gè)Na+緊鄰,_,個(gè)Cl-,每個(gè)Cl-緊,鄰6個(gè)_，每個(gè)Na+與,_,個(gè)Na+等距離相鄰。,4.氯化銫每個(gè)Cs,+,緊鄰,_,個(gè)Cl,-,每個(gè)Cl,-,緊鄰,_,個(gè)Cs,+,。每個(gè)Cs,+,與,_,個(gè)Cs,+,等距離相鄰。,八.離子晶體,注意1.離子晶體中不存在分子,離子晶體,陰離子配為數(shù),陽(yáng)離子配為數(shù),NaCl,CsCl,5、晶格能,氣態(tài)離子,形成,1摩爾離子晶體,釋放的能量稱為晶格能。通常取,正值,。,（1）晶格能正比于正負(fù)離子電荷數(shù)的乘積，與正負(fù)離子的核間距成反比。,（2）晶格能越大，離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高，硬度越大。,混合晶體,石墨晶體二維結(jié)構(gòu)示意圖,C原子,正六邊形結(jié)構(gòu)單元,共價(jià)鍵,SP,2,雜化,大,鍵,第n層,第n+2層,第n+1層,石墨晶體中的鄰層交錯(cuò)結(jié)構(gòu),范德華力,
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